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La tension minimale typique pour déclencher le flux de courant est de 0, 7 V appliquée à une jonction PN dans un transistor à base de silicium. Par conséquent, un transistor peut être utilisé comme mécanisme de commutation. En substance, lorsque la tension appliquée au connecteur de base sur un transistor est de 0, 7 V ou plus, le circuit électrique fonctionne dans un état "actif". Lorsque la tension appliquée au connecteur de base tombe en dessous de 0, 7 V, le circuit électrique sera "Off". Caractéristiques de puissance d'entrée des différents transistors NPN Bien que les transistors à base de silicium soient les plus couramment utilisés, ils ne sont pas le seul type de transistor disponible. Deux autres types de transistors NPN sont également disponibles: les transistors à l'arséniure de gallium et les transistors au germanium. Npn transistor puissance - Achat en ligne | Aliexpress. Les transistors en arséniure de gallium nécessitent au moins 1 V pour initier le passage du courant dans le transistor. Celles-ci ont un temps de réponse très rapide, ces types de transistors fonctionnent donc bien dans les circuits de commutation.
Envoyé par thomasalbert1993 J'ai donc pensé à remplacer le MOSFET par un NPN de puissance (BD241C) dont le courant fourni à la base limitera le courant du collecteur (grâce au hFE). C'est très dangereux de se baser sur le Hfe du transistor... Le gain de 14, c'est un minimum garantie, il peut très bien faire 20 ou 30! Il faut faire une limitation de courant avec un NPN et une résistance de mesure dans l'émetteur. Par contre, en cas de court-jus franc, le transistor (MOS ou NPN) dissipe Valim*2A =?? W.... ce qui risque, sans radiateur idoine, de le suicider rapidement. Il faut que le µC soit informé de l'anomalie et coupe la commande PS: je crois qu'il y a des NMOS à 5 pattes qui ont ce circuit en interne 04/08/2012, 13h19 #3 faut pas compter sur le HFE, trop dispersé d'un échantillon à l'autre, et variant avec le courant, la température, la pression atmosphérique... Transistor npn de puissance tome. bref.... seule soluce simple: fusible simple, ou réarmable. sinon étude à reprendre. encore grillé par Daudet, ça devient une habitude 04/08/2012, 13h29 #4 Hmmm d'accord pour le hFE.
Comparaison être les transistors bipolaires et à effet de champs Transistors_bipolaires transistors_à effet de champs Contrôle par courant. Contrôle en tension. En commutation, résistance série faible si Ic important Résistances Ron faible (plus forte que le Transistors_bipolaires mais moins dépendante du courant). Tension d'early Ic = f(Vbe) non plat dans la zone linéaire. Effet Early existant mais moins marqué que Transistors bipolaires Impédance d'entrée faible (vue de la base) Impédance d'entrée très forte (vue de la grille) Consommation de courant en régime tout ou rien Pas de consommation en dehors de transitions en régime tout ou rien. Tension de seuil très reproductible en composant discret Vbe = f(Ic, b) Peu de reproductibilité en composant discrets Vgsth =f(Vds, Id) varie d'un rapport deux. β défini par son minimum. Plan du cours sur les transistors 1. Les transistors bipolaires de puissance - Astuces Pratiques. Les amplificateurs 2. Les transistors Bipolaires 2. 1 Définition 2. La commutation 2. 3 L'amplification 3. Les transistors à effet de champs 3.