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Répondre à la discussion Affichage des résultats 1 à 3 sur 3 08/05/2011, 19h39 #1 nunja la résistance shunt ------ salut je demande des explications (son origine.... ) de la résistance shunt et pourquoi on le met en parallèle de la diode et non en série. pour un jonction PN d'une cellule solaire sous éclairement. Merci ----- 08/05/2011, 20h14 #2 Re: la résistance shunt 'Soir, Shunt: De l'anglais to shunt: dériver, Synonyme: bypass En électricité, un shunt est un dispositif de faible impédance qui permet au courant de passer d'un point à un autre d'un circuit électrique. Dans ce sens général, shunt est quasiment synonyme de court-circuit. Schéma équivalent cellule photovoltaique les. Ceci est particulièrement vrai pour les verbes (shunter, court-circuiter), y compris au sens figuré. Quand au shunt et la cellule photovoltaïque, il y a deux réponses selon le contexte de la question. 1► Schéma équivalent dune cellule Les composants au silicium, au contraire des composants précédents [lampes à vide], sont des amplificateurs de courant et non de tension.
5. Dans l'obscurité et dans le cas idéal, la courbe obéit à l'équation de Shockley suivante: 𝐼 = 𝐼 𝑠 |𝑒𝑥𝑝 [ 𝑞𝑉 𝑛𝐾𝑇] − 1| (I. 4) Où:I s est le courant de saturation, q la charge de l'électron, K la constante de Boltzmann, T la température et n le facteur d'idéalité de la diode. Ce dernier tient compte des recombinaisons. Sous éclairement, un terme I ph, tenant compte du photocourant généré est rajouté. On obtient l'équation suivante: 𝑛𝐾𝑇] − 1| − 𝐼 𝑝ℎ (I. 5) Dans le cas d'une cellule photovoltaïque réelle, d'autres paramètres tenant compte des effets résistifs, des recombinaisons, des fuites vers les bords, doivent être pris en considération. Le schéma équivalent est représenté sur la Figure I. 6 par un générateur de courant I cc, une diode et deux résistances R s et R sh. Schéma équivalent cellule photovoltaique avec. R s est une résistance série liée à la résistivité volumique et à l'impédance des électrodes et des matériaux. La pente de la courbe courant-tension au point V oc représente l'inverse de la résistance série (1/R s) (dans le cas où l'illumination est suffisante pour que V oc >>kT/q) R sh est une résistance shunt liée aux effets de bord et aux recombinaisons volumiques.
On peut utiliser du tellurure de cadmium ou du CIGS (cuivre / indium / gallium / sélénium). Les rendements en laboratoire sont proches de ceux du silicium (22, 1% et 23, 3% respectivement). Le silicium peut également être utilisé en couches minces s'il est sous sa forme « amorphe » (non cristallisée). C'est la technologie rencontrée depuis longtemps dans les petites calculatrices mais le rendement est plus faible. Les cellules organiques 1 micron: l'épaisseur (1/1000 de mm) du semi-conducteur déposé pour fabriquer les cellules photovoltaïques à couches minces. Fondées sur des molécules ou des polymères de la chimie organique et non plus sur des semi-conducteurs minéraux comme les précédentes, elles commencent à avoir des applications. Leurs rendements sont encore faibles et la stabilité à long terme n'est pas suffisante mais ces cellules pourraient avoir un très bas coût de production. Caractérisation physique des cellules photovoltaïques :. On rencontre aussi des cellules à pigments photosensibles inspirées de la photosynthèse La photosynthèse est le processus par lequel les plantes (sous l'action de la lumière du soleil) transforment le CO2 et l'eau en matière végétale... végétale appelées cellules à colorants.
répartition spectrale du rayonnement dit AM. 1, 5 f. Influence de la température L'influence de la température est non négligeable sur une cellule photovoltaïque. Pour le silicium, lorsque la température augmente, le courant augmente d'environ 0, 025 mA/cm2/°C alors que la tension décroît de 2, 2 mV/°C/cellule. Schéma équivalent cellule photovoltaïque http. Cela se traduit par une baisse de puissance d'environ 0, 4%/°C. Cette influence devra être prise en compte lors du dimensionnement du générateur photovoltaïque.
c. La puissance maximale d'une cellule Une cellule PV possède un point pour lequel sa puissance débitée est maximum. Ce point est tangent à une courbe d'isopuissance. On la nomme P max. d.